バッググラインド

バックグラインド

当社では、ファインメッシュ砥石による仕上げに力を入れています。鏡面仕上げをすることで、抗折強度向上にも効果があります。 薄化対応グラインダーを使用して、安定的なウェハーの薄化対応が実現でき、40μm(6インチ、8インチ) を実現し、量産レベルでも100μm を達成しています。
半導体ウェハのバックグラインドをメインで取り扱っておりますが、その他電子部品などへのバックグラインド加工や試作も承っております。お気軽にお問合せください。

半導体検査・加工

ファインメッシュ砥石

通常の砥石と違い、砥石の砥粒が非常に細かくなっています。破砕層が減少し、抗折強度が高くなり、折れにくいチップを製造する事ができます。 更に、ポリッシュ系とは違い、ソーマークは残るため、研削面へのレーザーでのマークや、実装時のゲッタリング効果を維持しつつ、抗折強度向上が期待できます。

■ ドライポリッシュ

ウェハの裏面を乾式砥石により、鏡面仕上げすることができます。 破砕層が減少し、抗折強度が高くなり折れにくいチップに加工することができます。 また、ウェハ反りを低減する効果もあります。

保有装置設備

設備 対応サイズ 台数 備考
保護テープ貼り装置5~12インチ2台
裏面研削装置5~12インチ2台チップ研削可
ドライポリッシュ装置6~12インチ2台
保護テープ剥離装置5~12インチ1台UV照射付き

バックグラインドの仕様

ウェハ厚み:量産100μm~ 試作40μm~(※WAX固定にも対応)

素材:シリコン タンタル酸リチウム(LT)(その他素材についてはご相談ください)

加工実績

半導体ウェハ製品をはじめとするシリコンやガラス、水晶などのバックグラインド加工事例を紹介しております。

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