バックグラインド(裏面研磨・BG加工)

Backgrind

ファインメッシュ砥石による鏡面仕上げ、
抗折強度向上やウェハの薄化

当社では、ファインメッシュ砥石による仕上げに力を入れています。鏡面仕上げをすることで、抗折強度向上にも効果があります。薄化対応グラインダーを使用して、安定的なウェハーの薄化対応が実現でき、20μm(6インチ、8インチ) を実現し、量産レベルでも70μm を達成しています。
半導体ウェハのバックグラインドをメインで取り扱っておりますが、個片化されたチップへのバックグラインド加工や試作も承っております。お気軽にお問合せください。

ウェハ研削（BG）

インフィード方式により仕上げ厚みを安定させることができます。また各種シリコンウェハ向け砥石を取り揃えており、ご要望に合わせた研削が可能です。超薄仕上げの対応が可能で、12インチ20μm仕上げの実績があります。

ファインメッシュ砥石

通常の砥石と違い、砥石の砥粒が非常に細かくなっています。破砕層が減少し、抗折強度が高くなり、折れにくいチップを製造する事ができます。更に、ポリッシュ系とは違い、ソーマークは残るため、研削面へのレーザーでのマークや、実装時のゲッタリング効果を維持しつつ、抗折強度向上が期待できます。

裏面研削とは

シリコン等の材料を、回転させた砥石（ホイール）で純水を掛けながら、薄く削る加工です。砥石は、ダイヤモンドの砥粒をボンドで固めているものを使用します。

ダイヤモンドの砥粒径、ボンド材、回転数、下降速度等を調整し、仕上げ厚み精度や、仕上げ粗さ、平坦度が最適な条件にて研削します。また、CMPやドライポリッシュなどの加工により、より鏡面に近い仕上げ加工も可能です。

一般的にはより粗さが少ない（鏡面に近い）仕上がりのほうが抗折強度（割れにくさ）が高い加工となります。

ウェハ研磨（ドライポリッシュ、CMP）

ウェハの裏面を乾式砥石により、鏡面仕上げすることができます。破砕層が減少し、抗折強度が高くなり折れにくいチップに加工することができます。また、ウェハ反りを低減する効果もあります。

保有装置設備

設備	対応サイズ	台数	備考
保護テープ貼り装置	5～12インチ	5台
裏面研削装置	5～12インチ	5台	チップ研削可
ドライポリッシュ装置	6～12インチ	3台
CMP装置	6～8インチ	1台
保護テープ剥離装置	5～12インチ	2台	UV照射付き

当社バックグラインドの仕様

加工できるもの

・シリコン・化合物半導体（一部）
加工が難しいもの

・セラミック・各種ガラス
・樹脂（ガラエポ等）・金属
加工可能サイズ

・直径300mm以下
加工可能厚み

・元厚1mm以下→仕上げ試作20μm以上
　量産70μm以上
厚み精度

・±2μm

Contact

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