加工事例

SiCウェハの特長

SiC（炭化ケイ素）ウェハは、シリコンに比べて高硬度・高耐熱性・高絶縁性を兼ね備えた材料です。特に高電圧・高温環境に強く、電力損失の少ない特性からパワーデバイスや次世代エネルギー機器に幅広く用いられています。

SiCウェハのダイシング方法

SiCは非常に硬いため、従来のダイシングソーだけでなく、レーザーダイシングやソーとレーザーを組み合わせたハイブリッド加工が行われます。高精度を確保するには、切断条件や冷却、吸着方法を含めた最適なプロセス設計が不可欠です。

SiCダイシング特有の難しさ

SiCは硬く脆いため、加工時に欠けやクラックが発生しやすく、工具摩耗も早いのが課題です。厚みやデバイス用途に応じた条件調整が難しく、加工コストも高くなりがちです。安定した品質を得るには高度な技術が求められます。

お客様の要望

SiCウェハを高精度にチップ化したいが、従来加工では欠けやクラックが多発し歩留まりが低下するとのご相談をいただきました。特に、電力デバイス用途のため、端面品質と寸法精度の両立が強く求められていました。

ニチワ工業の技術力

過去の豊富なSiC加工実績を基に、「超音波ダイシング（US)」をはじめとする最適な条件と切断プロセスを設計しました。チッピングを抑える専用ブレードを採用し、独自の工程を組み込み、欠けの発生を防止しました。

結果

クラックや欠けを従来比で大幅に低減し、端面品質と寸法精度を規格内に収めました。歩留まりは向上し、量産にも安定して対応可能に。お客様からは「難しいSiCでも安心して任せられる」と高い評価をいただきました。